文献类型：期刊文章

作　　者：汤瑜[1,2] 曹春芳[1] 赵旭熠[1] 杨锦[3] 李金友[3] 龚谦[1,2] 王海龙[3]

Tang Yu;Cao Chunfang;Zhao Xuyi;Yang jin;Li jinyou;Gong Qian;Wang Hailong(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem andInformation Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;Shandorig Provijicial Key Laboratory of Laser Polarizatioyi and Inform ation Technology,School of Physics and Physical Engineering,Qufu Normal University,Qufu,Shandong 273165,China)

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]中国科学院大学,北京100049 [3]曲阜师范大学物理工程学院,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东曲阜273165

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：国家自然科学基金(61674096)

年　　份：2019

卷　　号：56

期　　号：13

起止页码：172-176

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2019_2020、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为62 mA时,激光器单模工作情况下的最大边模抑制比(SMSR)为29.8dB,在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20dB。激光器在单模工作时,器件最大输出功率(单面)达到12.5mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说,在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。

关 键 词：激光器 量子阱激光器 法布里-珀罗腔 InGaAs/GaAs/InGaP  单模 边模抑制比

分 类 号：TN248.4]