文献类型：期刊文章

作　　者：陈见[1,2] 尹周澜[1] 张衡中[2]

CHEN Jian;YIN Zhoulan;ZHANG Hengzhong(College of Chemistry and Chemical Engineering,Central South University,Changsha 410083,China;Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research,Shanghai 201203,China)

机构地区：[1]中南大学化学化工学院,长沙410083 [2]北京高压科学研究中心(上海分中心),上海201203

出　　处：《有色金属工程》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(21875005)~~

年　　份：2019

卷　　号：9

期　　号：8

起止页码：1-6

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：分别以Li2CO3和MnO为Li源和Mn源,采用高温固相烧结的方法,合成了Li、Mn掺杂的MgCoNiCuZnO5高熵金属氧化物(High-entropy oxides,HEOx)材料(Mg,Co,Ni,Cu,Zn)0.95Li0.05O0.975和(Mg,Co,Ni,Cu,Zn)0.95Mn0.05O。并与未掺杂的HEOx进行对比,研究了Li和Mn两种不同金属元素对HEOx材料的相结构和导电性能的影响。交流阻抗的研究结果表明,Li、Mn掺杂后HEOx导电性明显提高,同时,紫外-可见-近红外吸收光谱表明三种材料都表现出半导体特性,其带隙宽度为1.2~1.7eV,并且Li、Mn掺杂后HEOx的直接带隙变小,Li-HEOx为1.23eV,Mn-HEOx为1.38eV。

关 键 词：高熵金属氧化物  掺杂 导电性 带隙

分 类 号：TB34[材料类]