文献类型：期刊文章

作　　者：徐家跃[1] 申慧[1] 金敏[1] 张彦[1] 田甜[1] 陈媛芝[1] 周鼎[1] 储耀卿[1]

XU Jia-yue;SHEN Hui;JIN Min;ZHANG Yan;TIAN Tian;CHEN Yuan-zhi;ZHOU Ding;CHU Yao-qing(Institute of Crystal Growth,School of Materials Science and Engineering,Shanghai Institute of Technology,Shanghai 201418,China)

机构地区：[1]上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所

出　　处：《人工晶体学报》

年　　份：2019

卷　　号：48

期　　号：6

起止页码：975-984

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、EI、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：坩埚下降法是一种重要的晶体生长技术,成功用于生长闪烁晶体锗酸铋(Bi4Ge3O12)、声光晶体氧化碲(TeO2)、压电晶体四硼酸锂(Li2B4O7)以及新型弛豫铁电晶体等材料,并实现了产业化。坩埚下降法在层状结构晶体、异型晶体、高通量生长等新材料探索中也有巨大的潜力。本文主要介绍我们团队近年来在坩埚下降法生长硒化锡(SnSe)晶体、全无机铅卤基钙钛矿晶体、高温合金、硅酸铋晶体高通量筛选等方面的研究结果。

关 键 词：坩埚下降法 晶体生长 高温合金单晶  高通量筛选

分 类 号：O78]