文献类型：期刊文章

作　　者：伏春平[1] 黄浩[1] 孙凌涛[1]

FU Chun-Ping;HUANG Hao;SUN Ling-Tao(Dept. of Physics,Chongqing University of Arts and Sciences,Yongchuan 402160,China)

机构地区：[1]重庆文理学院物理系

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：重庆市教委科技项目(KJ1601128);重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室开放课题基金(KF2016012);重庆市高校新型储能器件及应用工程研究中心开放课题资助(KF20170106)

年　　份：2019

卷　　号：36

期　　号：3

起止页码：522-526

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、JST、RSC、核心刊

摘　　要：本文基于第一性原理研究了Na、Be、Mg掺杂单层MoS2的稳定性、能带结构、态密度以及电荷分布.得到Be掺杂单层MoS2体系在实验上较容易实现,在三者掺杂体系中稳定性最强.与此同时,掺杂体系的带隙值都降低,有利于电子的跃迁,增强了导电性能;掺杂原子打破了原体系的平衡关系,导致周边S原子p轨道上的多余的电子会与近邻Mo原子d轨道上的电子产生相互作用;平衡的打破,也导致了杂质原子周围存在着电荷聚集和损失的现象.

关 键 词：MOS2 能带结构  第一性原理

分 类 号：O65]