文献类型：期刊文章

作　　者：李芒芒[1,2] 王磊[3] 桑胜波[2] 贾月梅[1] 冀健龙[2]

Li Mangmang;Wang Lei;Sang Shengbo;Jia Yuemei;Ji Jianlong(College of Mechanical and Vehicle Engineering ,College of Information and Computer , Taiyuan University of Technology , Taiyuan 030024, China;Micro-Nano System Research Center,College of Information and Computer , Taiyuan University of Technology , Taiyuan 030024, China;CapitalBio Corporation ,Beijing 102206, China)

机构地区：[1]太原理工大学机械与运载工程学院,太原030024 [2]太原理工大学信息与计算机学院微纳系统研究中心,太原030024 [3]博奥生物集团有限公司,北京102206

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51705354);山西省高等学校科技创新项目(183290224-S)

年　　份：2019

卷　　号：56

期　　号：7

起止页码：515-521

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：使用3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)与聚(4-苯乙烯磺酸钠)(NaPSS)的混合水溶液为电解液,采用交流电沉积法在Pt微电极对之间沉积形成薄膜、线、枝晶等不同形貌结构的有机半导体(OS)沟道层。以NaCl电解质作为栅介质,Ag/AgCl电极作为栅极,一对Pt微电极中一个为源极,另一个为漏极,制备形成有机电化学晶体管(OECT)。采用计时电流法和循环伏安法对Pt电极聚(3,4乙烯二氧噻吩)∶聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)聚合过程进行了表征与检测。结果表明EDOT的氧化电位为0.9 V,PEDOT∶PSS的过氧化电位为1.2 V,电沉积制备PEDOT∶PSS的过程中物质输运扩散受限。进一步基于介电泳、电泳以及粒子间的聚合力分析了电化学参数对OS层形貌的影响规律。使用Keithley 2636B源表对OECT进行测试,结果表明制备的OECT为p耗尽型器件,薄膜状OS沟道层的器件性能最好,其跨导达到0.8 mS,开关比达到400。

关 键 词：PEDOT  交流电沉积  物质输运 有机半导体(OS)沟道层  有机电化学晶体管(OECT)  

分 类 号：TN304.5] TN321.4