文献类型：期刊文章

作　　者：刘扬[1,3,4,5] 杨旭[2,6,7]

LIU Yang;YANG Xu(School of Electronics and Information Technology,Sun Yat-Sen University;School of Electrical Engineering,Xi’an Jiaotong University)

机构地区：[1]中山大学电子与信息学院 [2]西安交通大学电气工程学院 [3]中山大学电力电子及控制技术研究所、广东省第三代半导体GaN材料与器件工程技术研究中心 [4]IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议(ISPSD)技术程序委员会 [5]IEEE电子器件学会(EDS)功率器件与集成电路委员会、中国电源学会、中国电源学会元器件专委会、中国电工学会电力电子分会、中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会 [6]中国电工技术学会电力电子技术专委会、电气节能专委会 [7]中国电源学会直流电源专委会

出　　处：《电源学报》

年　　份：2019

卷　　号：17

期　　号：3

起止页码：1-3

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD_E2019_2020、JST、RCCSE、核心刊

摘　　要：GaN基功率电子器件因其具有开关速度快、开关频率高、工作结温高、通态电阻小、开关损耗低等优势,适合应用于新型高效、大功率等的电力电子系统。国内关于GaN基功率电子器件的研究已经取得了较为明显的进展,但与发达国家相比仍有一定的差距。为此,《电源学报》特别推出了“GaN基功率电子器件及其应用”专辑,基本涵盖GaN功率电子器件及其应用研究的热点问题,展示了不同研究机构和企业在该领域的研发现状,具有良好的学术研究和应用参考价值。

关 键 词：氮化镓 功率电子器件 功率密度 通态电阻 开关损耗 主编述评  

分 类 号：TM23[材料类]