文献类型：期刊文章

作　　者：岳超[1] 罗斯玮[1] 陆冬林[1] 钟建新[1]

YUE Chao;LUO Si-wei;LU Dong-lin;ZHONG Jian-xin(Hunan Key Laboratory for Micro-Nano Energy Materials and Devices , Faculty of Physics andOptoelectronic Engineering , Xiangtan University, Xiangtan 411105 China)

机构地区：[1]湘潭大学物理与光电工程学院微纳能源材料与器件湖南省重点实验室

出　　处：《湘潭大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金项目(11474244,11874316);国家科技部项目(2015CB921103);湘潭市科技局项目(CX2018B321);教育部创新研究团队项目(IRT13093)

年　　份：2019

卷　　号：41

期　　号：2

起止页码：1-5

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、普通刊

摘　　要：目前二维IV-VI族窄带隙半导体材料在存储开关、太阳能转换、热电转换和近红外光电器件等领域受到了广泛关注.其中硒化锡(SnSe)和二硒化锡(SnSe2)作为典型的IV-VI族窄带隙半导体,由于其优异的电子和光电性能成了研究热点.目前,制备SnSe和SnSe2薄膜通常需要使用两套气相沉积系统,而制备SnSe2纳米片更是需要通过化学气相沉积的方法才能获得,因此面临制备成本高、可控性低的问题.该文提供了一种气相沉积方法,一步制备了SnSe和SnSe2薄膜,大大提高了制备效率.该方法只需要控制加热温度,制备过程简单可控.通过一系列的表征手段证明,制备的SnSe薄膜和SnSe2薄膜十分纯净.

关 键 词：SnSe  SnSe2  气相沉积 表征手段  

分 类 号：O472]