文献类型：期刊文章

作　　者：顾瑾栩[1] 张倩[2] 卢晓威[1]

GU Jinxu;ZHANG Qian;LU Xiaowei(Beijing Institute of Electronic Science and Technology Information,Beijing 100009,China;Beijing Bureau of Economy and Information Technology,Beijing 100744,China)

机构地区：[1]北京市经济和信息化局,北京100744 [2]北京市电子科技情报研究所,北京100009

出　　处：《集成电路应用》

年　　份：2019

卷　　号：36

期　　号：5

起止页码：1-6

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：第三代半导体是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料,它们拥有高频高效、耐高压、耐高温等特性,是支撑轨道交通、新能源汽车、5G等产业的核心材料和电子元器件。北京市作为我国第三代半导体发展的重镇,具备丰富的科技资源和产业基础,聚集了诸如世纪金光、天科合达、泰科天润等知名生产制造企业。研究并实施北京第三代半导体产业的发展大计,不仅是助推北京市经济结构的优化,更是完善中国第三代半导体产业布局、助推产业成长的重要举措。

关 键 词：第三代半导体 宽禁带半导体材料 碳化硅 氮化镓 功率器件

分 类 号：TN40] F416.63]