文献类型：期刊文章

作　　者：张一飞[1,2,3] 李孟委[1,2,3] 吴倩楠[3,4]

ZHANG Yi-fei;LI Meng-wei;WU Qian-nan(Science and Technology on Electronic Test & Measurement Laboratory, North University of China,Taiyuan 030051,China;School of Instrument and Electronics,North University of China,Taiyuan 030051,China;Center for Microsystem Intergration North University of China,North University of China,Taiyuan 030051,China;School of Science,North University of China,Taiyuan 030051,China)

机构地区：[1]中北大学电子测试技术国家重点实验室,山西太原030051 [2]中北大学仪器与电子学院,山西太原030051 [3]中北大学微系统集成研究中心,山西太原030051 [4]中北大学理学院,山西太原030051

出　　处：《中北大学学报（自然科学版）》

年　　份：2019

卷　　号：40

期　　号：3

起止页码：269-275

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、IC、MR、SCOPUS、ZMATH、普通刊

摘　　要：针对RF MEMS衰减器插入损耗及衰减精度较差的问题,设计了一种高阻硅衬底的高精度RF MEMS衰减器,采用共面波导(Coplanar waveguide简称CPW)将喇叭式功分器结构、悬臂梁式直板状RF MEMS开关以及π形衰减电阻网络集成,作为衰减器的基本单元.此外,本文还设计了喇叭式功分器将信号渐变式传输到衰减器中,用以减小系统的插入损耗,并结合悬臂梁式直板状RF MEMS开关结构和衰减电阻,提高衰减系统的衰减精度.同时通过HFSS仿真软件对衰减器的射频性能进行模拟验证,得到DC～20GHz频段内,插入损耗中心值优于1.35dB,驻波比小于1.08dB,0～70dB范围内的衰减精度优于±2dB,这些指标均优于目前常用的RF MEMS衰减器.由此可见,优化衰减器中的功分器与开关结构是提高射频衰减器射频性能的一种有效方法,为高精度、低驻波比的衰减器工艺制作提供了一种设计方案.

关 键 词：RFMEMS衰减器  喇叭型功分器  HFSS仿真 高精度  低驻波比  

分 类 号：TN626]