文献类型：期刊文章

作　　者：郭雨[1,2,3] 冯纪章[4] 郭腾[2] 陈君华[2] 柏雷[2] 周永生[2] 叶祥桔[2] 徐卫兵[1]

GUO Yu;FENG Ji-zhang;GUO Teng;CHEN Jun-hua;BAI Lei;ZHOU Yong-sheng;YE Xiang-ju;XU Wei-bing(College of Chemistry and Materials Engineering,Anhui Science and Technology University,Bengbu 233100,China;College of Chemistry and Chemical Engineering,Hefei University of Technology,Hefei 230009,China;Postdoctoral Research Station,Anhui DeLi Household Glass Co.,Ltd.,Fengyang 233121,China;Sedin Engineering Co.,Ltd.,Taiyuan 030032,China)

机构地区：[1]安徽科技学院化学与材料工程学院,安徽蚌埠233100 [2]合肥工业大学化学工程学院,安徽合肥230009 [3]安徽德力日用玻璃股份有限公司博士后工作站,安徽凤阳233121 [4]赛鼎工程有限公司,山西太原030032

出　　处：《中北大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(21603002);安徽科技学院重点学科建设项目(AKZDXK/2015A01);安徽科技学院稳定高层次人才项目(AHSTU-SHTP201801)

年　　份：2019

卷　　号：40

期　　号：3

起止页码：243-249

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、IC、MR、SCOPUS、ZMATH、普通刊

摘　　要：为了提高SiC光催化性能,采用化学浸蚀法对碳化硅表面氧化层进行减薄处理,并对其表面形态和化学成分进行XRD、TEM、UV-vis DR、SXPS和FT-IR表征.结果表明:物相、形貌和光学带隙并没有发生改变,而XPS和FT-IR结果则表明碳化硅表面的Si—C结构转变为Si—O—Si结构.最优浸蚀条件和偏压条件下,即偏置电压±500V,浸蚀时间10h和氢氧化钠浓度1mol·L-1,紫外光催化效率和光电催化效率分别达到了45.9%和80%.与未改性碳化硅样品相比,NaOH浸蚀后SiC对光降解MB具有显著的光催化和光电催化活性,其光催化效率分别增大了24和36倍.

关 键 词：碳化硅 光电催化 化学浸蚀 表面改性

分 类 号：O644.1]