文献类型：期刊文章

作　　者：陈聪[1] 王涛[1] 包翔[1] 顾德恩[1]

CHEN Cong;WANG Tao;BAO Xiang;GU Deen(National Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, School of Optoelectronic Science and Engineering,University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

机构地区：[1]电子科技大学光电科学与工程学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2019

卷　　号：38

期　　号：4

起止页码：1-8

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD_E2019_2020、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：近年来,二维过渡金属硫化物二硫化钼(MoS_2)因其类似石墨烯的层状结构而被誉为"继石墨烯之后最有希望的二维材料之一"。其可见光范围内的带隙宽度,使得MoS_2在光致发光应用方面受到广泛的关注。本文以纳米层状MoS_2为综述对象,围绕MoS_2光致发光展开介绍。首先,简单讲述了MoS_2的晶体结构和基本性能表征。随后详细概述了MoS_2的能带结构,晶格结构及堆垛方式与光辐射跃迁之间的关联。并重点介绍了目前学术上在改善MoS_2发光性能方向上的研究进展,总结归纳为两种:第一种为化学方法,主要是通过提升MoS_2载流子浓度改善其光致发光性能;第二种为表面等离子体共振,即实现金属颗粒表面的共振吸收以达到提高发光性能的目的。最后,结合研究背景和发展现状提出了MoS_2光致发光相关研究的未来趋势。

关 键 词：二硫化钼 光致发光 综述  能带结构  层间耦合 表面等离子共振

分 类 号：TN201]