文献类型：期刊文章

作　　者：马瑞[1,2] 苏梅英[1,2] 刘晓芳[1,2] 王旭刚[2] 曹立强[1,2]

MA Rui;SU Meiying;LIU Xiaofang;WANG Xugang;CAO Liqiang(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;National Center for Advanced Packaging Co.,Ltd,Wuxi 214135,Jiangsu Province,China)

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,江苏无锡214135

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：国家自然科学基金(61474140)

年　　份：2019

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：93-97

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD_E2019_2020、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文建立了TSV互连结构三维有限元模型,并对该模型进行了电热耦合分析,分别对比了不同电流密度、环境温度、TSV填充材料等因素对TSV互连结构电迁移失效的影响。结果表明,在一定范围内,电流密度和环境温度是影响TSV互连结构电迁移寿命的主要因素;四种填充物相比,碳纳米管与硅的热膨胀系数更匹配,且产生的焦耳热最小。此外,仿真分析不同TSV长度和孔径对TSV互连结构的温度场分布和焦耳热分布情况的影响。随着TSV长度增大,TSV单位体积热生成率有减小的趋势。电流密度相同情况下,随着TSV孔径增大,产生的焦耳热增加,将加速电迁移现象。

关 键 词：TSV 电迁移 有限元模拟 电热耦合

分 类 号：TN406]