文献类型：期刊文章

作　　者：陆戴[1] 王文杰[1] 王庆珍[1] 于平平[1] 姜岩峰[1]

LU Dai;WANG Wen-jie;WANG Qing-zhen;YU Ping-ping;JIANG Yan-feng(School of IOT Engineering,Jiangnan University,Wuxi,Jiangsu 214122,China)

机构地区：[1]江南大学物联网工程学院电子工程系,江苏无锡214122

出　　处：《电子学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.61774078);江南大学高校自主研究项目(No.1255210322160220)

年　　份：2019

卷　　号：47

期　　号：2

起止页码：434-439

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：绝缘栅双极晶体管(IGBT)是微电子学研究的热点之一,而相关电路仿真迫切需要该器件的等效模型.本文提出基于傅里叶解双极扩散方程(ADE)的1200V场终止型IGBT物理模型,通过RC电路等效漂移区载流子分布,精确求解双极扩散方程.该模型针对大功率IGBT的工作原理,采用大注入假设条件,在综合分析场终止层的同时,根据1200V场终止型IGBT的特点考虑漂移区载流子的复合效应.在提取器件模型所需的关键参数后,用实际IG-BT的测量结果对该模型的仿真结果进行了验证,通过分析静态以及关断瞬态特性曲线,仿真与实验数据误差均值小于8%,证明所建模型及参数提取方法的精确度.

关 键 词：场终止型绝缘栅双极晶体管  双极扩散方程  物理模型

分 类 号：TN3]