期刊文章详细信息
半导体器件物理与工艺的TCAD综合性实验设计
TCAD Comprehensive Experimental Design of Physics and Technology of Semiconductor Device
文献类型:期刊文章
CHEN Hui;SHI Xiangqun;HU Yunfeng;WEN Yi
机构地区:[1]电子科技大学中山学院电子信息学院,广东中山528402
基 金:广东省教育厅质量工程和高等教育教学改革项目"基于学生能力培养的互联网+背景下微电子器件混合式教学资源建设"(编号:SJY201804);"半导体物理"(编号:S-ZXKC201803);全国教育信息技术研究课题"基于互联网+混合式教学资源开发与应用研究--半导体物理器件课程为例"(编号:186140105);"基于云平台的数字资源建设与教与学互动应用研究--以半导体物理课程为例"(编号:176140033);电子科技大学中山学院质量工程和高等教育教学改革项目"基于学生能力培养的互联网+背景下微电子器件混合式教学资源建设"(编号:JY201817);"基于互联网的<半导体物理>课程数字资源建设及‘教与学’互动应用研究"(编号:JY201703)
年 份:2019
卷 号:9
期 号:6
起止页码:20-23
语 种:中文
收录情况:JST、NSSD、普通刊
摘 要:半导体器件物理与工艺课程主要让学生掌握半导体基本理论,器件基本结构、物理原理、特性及主要工艺技术对器件性能的影响。为了简化课程教学难度,提高教学质量,引入TCAD综合性实验设计。基础实验设计部分不仅能让学生更形象、直观的看到器件形貌、获取器件各参数,而且可以结合课程相关理论知识分析半导体工艺条件及器件结构参数对器件性能的影响,促进知识的转移、转化。创新性实验设计部分,学生根据已有的器件模型,自主设计其它性能器件,激发学生的学习兴趣,培养学生综合设计及创新能力。
关 键 词:Athena工艺仿真器 Atlas器件仿真器 实际生产 PN结
分 类 号:TN30]
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