文献类型：期刊文章

作　　者：张猛蛟[1,2] 蔡毅[1,3] 江峰[4] 钟海政[4] 王岭雪[1]

ZHANG Meng-jiao;CAI Yi;JIANG Feng;ZHONG Hai-zheng;WANG Ling-xue(School of Optics and Photonics,Beijing Institute of Technology,Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems,Beijing 100081,China;China Research and Development Academy of Machinery Equipment,Beijing 100089;School of Material Science & Engineering,Beijing Institute of Technology,Beijing 100081,China;East China Institute of Optoelectronic Integrated Device,Suzhou 215163,China)

机构地区：[1]北京理工大学光电学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室,北京100081 [2]华东光电集成器件研究所,江苏苏州215163 [3]中国兵器科学研究院,北京100089 [4]北京理工大学材料学院,北京100081

出　　处：《中国光学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.61471044);国家重点研发计划(No.2017YFC0110100)~~

年　　份：2019

卷　　号：12

期　　号：1

起止页码：19-37

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硅基紫外成像探测技术具有可靠性好、集成度高、容易大面阵化、成本低等优势,成为探测领域的重要研究方向。随着硅半导体工艺的持续进步以及纳米科学的发展,利用半导体技术、荧光转换材料或者低维纳米结构来增强硅基探测器的紫外响应取得了长足的进步。本文综述了国内外硅基紫外增强成像探测器件、系统应用的进展,通过回顾器件发展的历史和对研究现状的分析,并结合紫外探测技术在天文物理、生化分析、电晕检测等领域的应用进展,探讨了硅基紫外成像探测技术发展的趋势和挑战。

关 键 词：硅 紫外 图像传感器 成像探测  

分 类 号：TN23]