文献类型：期刊文章

作　　者：罗旭峰[1] 陈昶[1] 贾曦[2] 熊芳[1]

Luo Xufeng;Chen Chang;Jia Xi;Xiong Fang(Faculty of Physics and Electronic Engineering, Leshan Normal University, Leshan 614000, China;Faculty of New Energy Engineering, Leshan Vocational and Technical College, Leshan 614000, China)

机构地区：[1]乐山师范学院物理与电子工程学院,四川乐山614000 [2]乐山职业技术学院新能源工程系,四川乐山614000

出　　处：《化学反应工程与工艺》

年　　份：2018

卷　　号：34

期　　号：2

起止页码：170-177

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD_E2017_2018、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了考察Si Cl_4(STC)-H2体系下的热氢化反应过程,采用完全扰动反应器(PSR)模型与Chemkin模拟软件,耦合了相关热力学与反应机理数据,对不同反应温度、反应压力、反应配比条件进行了模拟计算,并进一步模拟考察了停留时间与反应尾气急速冷却条件,经统计对比揭示了以上因素对Si Cl_4一次转化率的影响。结果表明:反应温度影响优先级为最高,只有在合适的反应温度区间内才能使Si HCl_3(TCS)产生并维持理想的摩尔分率;Si Cl_4一次转化率均随反应压力与反应配比增加而增加,但在最优区间内才有参考价值,增长幅度在最优值后趋缓;Si Cl_4一次转化率在最优停留时间前期增长显著,后期基本无变化;反应尾气则需要在较低温度与较短时间内完成骤冷过程方可使Si Cl_4一次转化率不发生较为明显的降低。得出结论为Si Cl_4通过热氢化制备Si HCl_3过程最优操作条件为反应温度1 200℃,反应压力0.6 MPa,反应配比n(H2):n(STC)为4,在此条件下,Si Cl_4一次转化率为20.91%;最优停留时间为0.01 s,反应尾气最优骤冷条件为在0.001 s内冷却至750℃。

关 键 词：热氢化  四氯化硅 三氯化氢硅  尾气骤冷  数值模拟  

分 类 号：TQ127.2]