文献类型：期刊文章

作　　者：陈俊帆[1,2] 赵生盛[1,2] 高天[1,2] 徐玉增[1,2] 张力[1,2] 丁毅[1,2] 张晓丹[1,2] 赵颖[1,2] 侯国付[1,2]

CHEN Junfan;ZHAO Shengsheng;GAO Tian;XU Yuzeng;ZHANG Li;DING Yi;ZHANG Xiaodan;ZHAO Ying;HOU Guofu(Institute of Optoelectronic Thin Film Devices and Technology,Nankai University,Tianjin 300071;Key Laboratory of Optoelectronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin,Tianjin 300071)

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 [2]天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金(61474066;61504069);天津市自然科学基金(15JCYBJC21200);高等学校学科创新引智计划(B16027);光学信息技术科学教育部重点实验室开放基金(2017KFKT015);中央高校基本科研业务费专项资金~~

年　　份：2019

卷　　号：33

期　　号：1

起止页码：110-116

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：晶体硅太阳电池是目前光伏市场的主流产品,其又可分为多晶硅电池和单晶硅(c-Si)电池。目前,多晶硅电池成本较低,市场份额较大,但其效率较低;单晶硅电池成本相对偏高,但其效率更高,市场份额小于多晶硅电池。随着硅材料和硅片切割技术的进步,单晶硅片的成本持续下降,且未来市场对高效率的高端光伏产品需求日益增长。因此,高效率的单晶硅电池将受到更多的关注。为进一步提高单晶硅太阳电池的效率,近几年的研究工作主要集中于提高硅片质量来降低体缺陷,寻找新型钝化材料来降低表面和界面缺陷,开发先进的减反技术(新型的绒面陷光结构和材料)以提高光的利用率,引入低电阻金属化技术降低串联电阻,优化PN结制备技术以及器件结构等。2014年至今,单晶硅太阳电池的转换效率得到连续突破。目前,最高效率是日本Kaneka公司创造的26.6%,其他效率达到或者超过25%的晶硅电池包括钝化发射极背面局部场接触(PERL)电池、交叉指式背接触(IBC)电池、硅异质结(SHJ)电池、交叉指式背接触异质结(HBC)电池、隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池、多晶硅氧化物选择钝化接触(POLO)电池等。分析这些典型电池的关键技术可以发现,栅线电极与c-Si的金属-半导体接触复合成为影响电池效率的关键因素。为减小这些复合,一方面通过电池背面局部开孔来减小金属与c-Si直接接触的面积,包括钝化发射极背场点接触(PERC)、PERL、钝化发射极和背面全扩散(PERT)等电池。另一方面则是开发既能够实现优异的表面钝化,同时又无需开孔便可分离与输运载流子的新型载流子选择性钝化接触技术,如SHJ电池、TOPCon电池等。此外,采用交叉指式背接触技术与其他电池结构结合则是最大限度提高光利用率的必然选择,包括IBC电池和HBC电池。本文介绍了当前国际上转化效率达到或超过25%的典型

关 键 词：单晶硅太阳电池 减反技术  新型钝化材料  载流子选择性钝化接触  交叉指式背接触  

分 类 号：TM914.41]