文献类型：期刊文章

作　　者：王勇勇[1] 杨发顺[1,2] 王德成[3] 胡锐[3] 马奎[1,2]

Wang Yongyong;Yang Fashun;Wang Decheng;Hu Rui;Ma Kui(School of Big Data and Information Engineering,Guizhou University,Guiyang 550025,China;Key Laboratory of Micro-Nano-Electronics of Guizhou Province,Guiyang 550025,China;Guizhou Zhenhua Feng Guang Semiconductor Co.,Ltd.,Guiyang 550018,China)

机构地区：[1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025 [2]贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳550025 [3]贵州振华风光半导体有限公司,贵州贵阳550018

出　　处：《电子技术应用》

基　　金：国家自然科学基金(61464002;61664004);贵州省重大科技专项(黔科合重大专项字[2015]6006);贵州省科技计划项目(黔科合平台人才[2017]5788号)

年　　份：2019

卷　　号：45

期　　号：1

起止页码：27-30

语　　种：中文

收录情况：DOAJ、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：基于70 V高压双极型工艺,设计了一种适用于单片高压功率运算放大器的输入级电路。该电路采用p沟道结型场效应晶体管(JFET)组成的差分对套筒式共源共栅(differential telescopic cascode)结构,具有低偏置电流、低失调电压、低失调电流、高共模抑制比的特点。以共集-共射(CC-CE)的放大电路结构作为该输入级电路的负载,减小对输入级影响的同时能够提高电压增益。Spectre仿真结果表明,输入偏置电流仅为20 pA,失调电压为0.11 mV,失调电流为0.57 fA,连接负载后的增益可以达到89 dB,单位增益带宽达到8.13 MHz。

关 键 词：差分套筒共源共栅  JFET 低偏置电流  功率运放  

分 类 号：TN431.1]