文献类型：期刊文章

作　　者：高岩[1,2] 贺昕[1,2] 刘晓[1,2]

GAO Yan;HE Xin;LIU Xiao(Grikin Advanced Materials CO.,LTD, Beijing 102200;Beijing Engineering ResearchCenter of High Purity Metal Sputtering Target,Beijing 102200)

机构地区：[1]有研亿金新材料有限公司,北京102200 [2]北京市高纯金属溅射靶材工程研究中心,北京102200

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家科技重大专项02专项(2014ZX02501009)

年　　份：2018

卷　　号：32

期　　号：A02

起止页码：111-113

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着大规模集成电路制程向高密集度的方向发展,器件的特征尺寸不断缩小,集成度越来越高。在90nm后随着布线的宽度变窄,高纯铜及铜合金靶材的应用成为一个研究热点。本文通过多个专利及相关文献的检索,总结了高纯铜及铜合金靶材的分类,分析了高纯铜的纯度、合金元素的种类以及分布对高纯铜靶材溅射性能的影响,展望了今后大规模集成电路靶材的发展趋势。

关 键 词：集成电路 互连线 高纯 铜合金靶材  溅射

分 类 号：TG146.1[材料类]