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期刊文章详细信息

光刻胶材料发展状况及下一代光刻技术对图形化材料的挑战    

  

文献类型:期刊文章

作  者:李冰[1] 马洁[1] 刁翠梅[1] 孙嘉[1] 李海波[1]

机构地区:[1]北京科华微电子材料有限公司

出  处:《新材料产业》

年  份:2018

期  号:12

起止页码:43-47

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:一、背景光刻胶是制造集成电路的关键材料,其性能直接影响到集成电路芯片上的集成度、运行速度及功耗等性能。在摩尔定律的推动下,集成电路芯片集成度不断提高,光刻胶技术也不断发展,经历了宽谱光刻胶、G/I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶等一系列技术平台,从技术上经历了环化橡胶体系、酚醛树脂-重氮奈醌体系及化学放大体系。

关 键 词:下一代光刻技术 材料发展  光刻胶 图形化 集成电路芯片 芯片集成度 运行速度 摩尔定律  

分 类 号:TN40]

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