文献类型：期刊文章

作　　者：林伟[1,2,3] 吴雅苹[1,2,3] 李德鹏[1,2,3] 卢诗强[1,2,3]

LIN Wei;WU Ya-ping;LI De-peng;LU Shi-qiang(Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Fujian Provincial Key Laboratory of Semiconductors and Applications,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices,Xiamen University,Xiamen 361005,China)

机构地区：[1]厦门大学物理科学与技术学院物理系,福建厦门361005 [2]厦门大学物理科学与技术学院福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005 [3]厦门大学物理科学与技术学院半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建厦门361005

出　　处：《物理实验》

年　　份：2018

卷　　号：38

期　　号：11

起止页码：13-16

语　　种：中文

收录情况：JST、普通刊

摘　　要：采用APSYS软件设计渐变Al组分隧穿结,利用渐变组分间带阶结合AlGaN材料先天存在的自发极化和压电极化调控能带,增强载流子扩散-漂移联合运动方式,有助于增大载流子在隧穿结内的迁移隧穿概率.经过优化,p^+-AlGaN中Al组分自下而上线性地由0.45渐变到0.70,n^+-AlGaN中Al组分自下向上线性地由0.70渐变到0.45.器件I-V曲线在开启电压以上,呈现近线性关系,表明渐变Al组分隧穿结深紫外LED器件表现出更佳的电注入特性,297nm室温电致发光峰强度高于非渐变结构深紫外LED.内量子效率、光功率和辐射复合率模拟结果进一步证实渐变Al组分隧穿结的引入增大了有源区注入的空穴浓度,量子阱内辐射复合率得到提高.

关 键 词：紫外LED  隧穿结  光电特性 电子结构

分 类 号：O47]