文献类型：期刊文章

作　　者：李燕秋[1,2] 渠亚洲[1,2] 程其进[1,2]

LI Yan-qiu;QU Ya-zhou;CHENG Qi-jin(Institute of Solar Energy,Xiamen University,Xiamen 361102,China;Shenzhen Research Institute of Xiamen University,Shenzhen 518000,China)

机构地区：[1]厦门大学能源学院太阳能研究所,厦门361102 [2]厦门大学深圳研究院,深圳518000

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：深圳市基础研究项目(JCYJ20170306141238532)

年　　份：2018

卷　　号：47

期　　号：10

起止页码：2022-2027

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用双氧水溶液对硅片表面进行预氧化处理,并用改良的RCA法清洗硅片,结合金属辅助化学刻蚀(MACE)制备硅纳米线阵列(Si NWs)。通过表征发现:预氧化清洗相较于传统RCA清洗,能够降低硅片表面微粗糙度,同时提高后续制备的硅纳米线阵列的均匀性。此外,在300～800 nm波段,当硅纳米线的长度相近时,经预氧化清洗制备的硅纳米线阵列反射率降低,当硅纳米线长度为500 nm左右时,反射率降低值大于2. 4%。最后分析了均匀硅纳米线阵列的形成机理。

关 键 词：硅纳米线阵列  预氧化清洗  金属辅助化学刻蚀  各向异性

分 类 号：TB34[材料类]