文献类型：期刊文章

作　　者：高召帅[1] 于跃[1] 谢世鹏[1] 厉忠海[1] 王培[1]

Gao Zhaoshuai;Yu Yue;Xie Shipeng;Li Zhonghai;Wang Pei(Jiangsu Xinhua Semiconductor Material Technology Co.,Ltd.,Xuzhou 221004,China)

机构地区：[1]江苏鑫华半导体材料科技有限公司,保利协鑫旗下,江苏徐州221004

出　　处：《山东化工》

基　　金：国家重大专项(02专项);极大规模集成电路制造技术及成套工艺(2014ZX02404)

年　　份：2018

卷　　号：47

期　　号：20

起止页码：102-103

语　　种：中文

收录情况：CAS、普通刊

摘　　要：电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响影响下游晶圆制造产品质量,所以对其金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从精馏、还原及后处理生产过程中每个环节浅析电子级多晶硅金属杂质的引入源,同时提出相应控制措施。

关 键 词：电子级多晶硅  金属杂质 来源  

分 类 号：TQ426.95] TQ127.2