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化学气相沉积制备硅碳材料及其性质研究
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]天津巴莫科技股份有限公司,天津300384
年 份：2018
期 号：30
起止页码：115-116
语 种：中文
收录情况：NSSD、普通刊
摘 要：以氧化亚硅为原料,利用氧化亚硅的歧化反应制备纳米硅颗粒、二氧化硅前驱体,然后利用化学气相沉积法在其表面原位包覆一层均匀致密的导电碳层,并对材料的表面及微观结构和电化学性能进行了表征。SEM显示材料呈微米级分布,没有明显碳单质颗粒存在。XRD和TEM结果表明,氧化亚硅材料在950℃开始发生歧化反应。首次脱锂比容量为1545.1mAh/g,首次库伦效率为81.6%。硅碳石墨复合材料首次比容量为455.2mAh/g,首次库伦效率为89.2%,循环100圈后比容量为410.5mAh/g,仍远高于常见石墨负极。
关 键 词：歧化反应 化学气相沉积 碳包覆
分 类 号：TM912]
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