文献类型：期刊文章

作　　者：赵元富[1] 王亮[1] 岳素格[1] 孙永姝[1] 王丹[1] 刘琳[1] 刘家齐[1] 王汉宁[1]

ZHAO Yuan-fu;WANG Liang;YUE Su-ge;SUN Yong-shu;WANG Dan;LIU Lin;LIU Jia-qi;WANG Han-ning(Beijing Microelectronics Technology Insitute,Beijing 100076)

机构地区：[1]北京微电子技术研究所,北京100076

出　　处：《电子学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.61674015;No.11690045)

年　　份：2018

卷　　号：46

期　　号：10

起止页码：2511-2518

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：空间应用的集成电路受到辐射效应的影响,会出现瞬态干扰、数据翻转、性能退化、功能失效甚至彻底毁坏等问题.随着器件特征尺寸进入到100nm以下(以下简称纳米级),这些问题的多样性和复杂性进一步增加,单粒子效应成为集成电路在空间可靠性应用的主要问题,给集成电路的辐射效应评估和抗辐射加固带来了诸多挑战.本文以纳米级CMOS集成电路为研究对象,结合近年来国内外的主要技术进展,介绍研究团队在65nm集成电路单粒子效应和加固技术方面的研究成果,包括首次提出的单粒子时域测试和分析方法、单粒子多节点翻转加固方法和单粒子瞬态加固方法等.

关 键 词：集成电路 纳米级 单粒子效应 抗辐射加固

分 类 号：TN43]