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期刊文章详细信息

大尺寸MAPbI_3单晶的制备及光电性能研究  ( EI收录)  

Preparation and Optoelectronic Properties of Large-scale MAPbI_3 Single Crystals

  

文献类型:期刊文章

作  者:张婵婵[1,2] 张方辉[1] 丁利苹[1] 朱晓婷[2] 李荣金[2]

ZHANG Chan-chan;ZHANG Fang-hui;DING Li-ping;ZHU Xiao-ting;LI Rong-jin(Shaanxi Province Flat Panel Display Technology Engineering Research Center,College of Electrical and Information Engineering,Shaanxi University of Science&Technology,Xi′an 710071,China;Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Science,Department of Chemistry and School of Science,Tianjin University,Tianjin 300072,China)

机构地区:[1]陕西科技大学电气与信息学院陕西省平板显示技术工程研究中心,西安710071 [2]天津大学理学院天津市分子光电科学重点实验室,天津300072

出  处:《光子学报》

基  金:国家自然科学基金(No.61674116);国家重点研发计划(No.2016YFA0202300);陕西省自然科学基金(No.2016JQ622)~~

年  份:2018

卷  号:47

期  号:9

起止页码:67-74

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150μm左右)高质量的MAPbI_3单晶,并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置.从衬底温度、载气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI_2晶体生长的因素.结果表明:该晶体生长的最优条件分别对应为350℃、20sccm、20min.将MAPbI_3单晶放置在空气中50天后,其X衍射特征峰没有明显变化.最后分析该器件的光电特性,发现其开关比高达10~4,响应度为3.8×10~4 A/W,且具有较快的响应速度(上升时间:0.03s;下降时间:0.15s).该MAPbI_3单晶光电探测器将在光电学领域有非常良好的应用.

关 键 词:甲胺基碘化铅单晶  大尺寸 高质量  光电探测器 响应度

分 类 号:O472] O782[物理学类]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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