文献类型：期刊文章

作　　者：朱煜[1] 刘思杨[1] 朱子疏[1] 祝巍[1]

ZHU Yu;LIU Si-yang;ZHU Zi-shu;ZHU Wei(Physics Experiment Teaching Center,School of Physics,University of Science&Technology China,Hefei 230026,China)

机构地区：[1]中国科学技术大学物理学院,物理实验教学中心,合肥230026

出　　处：《表面技术》

基　　金：国家自然科学基金(51602302);国家基础科学人才培养基金(J1103207)

年　　份：2018

卷　　号：47

期　　号：7

起止页码：152-159

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：目的通过真空镀膜工艺,获得电学性能优良的钒氧化物薄膜。方法采用直流反应磁控溅射法,通过改变镀膜时部分实验条件,包括沉积气氛中氧含量、衬底温度以及衬底材质,进而控制薄膜组成成分。利用椭偏仪、XRD和变温四探针仪检测所镀钒氧化物薄膜的厚度、晶体结构及电学性能。结果衬底温度在350~400℃之间,镀膜室氧气含量在40%~50%之间时,反应溅射所得的钒氧化物薄膜具有较高的温度敏感性,此外得益于(0001)面的α-Al_2O_3与VO_2有相近的晶格参数,在此衬底上沉积出的钒氧化物薄膜电阻在30~100℃区间内有一个数量级的线性变化。结论确定了最佳的钒氧化物薄膜镀制条件范围,同时发现蓝宝石衬底相比于硅片和玻璃片更适合外延生长VO_2薄膜。按此种方法所得样品具有优良的电学性能,可以应用到热敏电阻等研究领域当中。

关 键 词：二氧化钒 直流磁控溅射 薄膜  X射线衍射 相变

分 类 号：O484.42]