文献类型：期刊文章

作　　者：丁康俊[1,2] 马志斌[1,2] 宋修曦[1,2] 夏禹豪[1,2] 耿传文[1,2]

DING Kangjun;MA Zhibin;SONG Xiuxi;XlA Yuhao;GENG Chuanwen(School of Material Science and Engineering,Wuhan Institute of Technology,Wuhan 430073,China;Key Laboratory of Plasma Chemical and Advanced Materials of Hubd Province,Wuhan 430073,China)

机构地区：[1]武汉工程大学材料科学与工程学院,武汉430073 [2]湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430073

出　　处：《金刚石与磨料磨具工程》

基　　金：国家自然科学基金(No.11575134)

年　　份：2018

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：8-11

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、IC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在含有缺陷的单晶金刚石种晶上进行同质外延生长实验,在其他沉积参数保持相同的情况下,研究温度对生长的单晶金刚石缺陷的影响。通过发射光谱、拉曼光谱以及SEM对单晶金刚石进行表征。实验结果表明:单晶金刚石温度越高,金刚石表面的等离子体发射光谱中的谱线强度比值I(C2)/I(Hα)也越高;而电子温度越低,等离子体中粒子间的碰撞更加剧烈。在740℃沉积时,单晶金刚石表面会在同质外延生长后出现从缺陷处贯穿的裂痕;在780和820℃沉积时,单晶金刚石表面缺陷有被抑制和覆盖的趋势,缺陷面积减小;而在860℃沉积时,缺陷面积扩大且凸起更为明显。因此,在适宜温度下生长的单晶金刚石质量较好,金刚石特征峰偏移小、应力较小;温度过高或不足,金刚石特征峰向低波数偏移程度较大,压应力较大。

关 键 词：微波等离子体化学气相沉积 发射光谱 单晶金刚石 缺陷  

分 类 号：TQ164]