期刊文章详细信息
温度对硅外延图形漂移的影响及监控
Influence of the Temperature on Silicon Epitaxial Pattern Shift and Its Monitoring Method
文献类型：期刊文章
DUAN Luqiang(Hua Yue Microelectronics Co.,Ltd,Zhejiang 312016,China)
机构地区：[1]华越微电子有限公司,浙江312016
基 金：中国电子信息产业集团华越微电子有限公司集成电路制造技术研究专项
年 份：2018
卷 号：35
期 号：3
起止页码：49-52
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：<111>硅外延过程中图形漂移是影响外延质量的一个重要参数,在IC制造过程中,由于外延后的图形漂移使得后续光刻图形对偏情况时有发生,影响产品质量。本文通过对Si晶体的结构进行分析,解释了外延生长过程中图形漂移的原理,验证了温度对图形漂移量的影响,并根据理论分析,提出了一种新的外延漂移量监控方式。
关 键 词：集成电路制造 外延 图形漂移 晶向
分 类 号：TN405]
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