文献类型：期刊文章

作　　者：陈其苗[1,2] 宋禹忻[1] 张振普[1] 刘娟娟[1] 芦鹏飞[3] 李耀耀[1] 王庶民[1,4] 龚谦[1]

CHEN Qimiao;SONG Yuxin;ZHANG Zhenpu;LIU Juanjuan;LU Pengfei;LI Yaoyao;WANG Shumin;GONG Qian(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,CAS,Shanghai 200050;University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049;State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications of Ministry of Education,Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing 100089;Department of Microtechnology and Nanoscience,Chalmers University of Technology,Gothenburg,Sweden)

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]中国科学院大学,北京100049 [3]北京邮电大学信息光子学与光通信研究院,信息光子学与光通信国家重点实验室,北京100089 [4]查尔姆斯理工大学,微技术和纳米科学系,瑞典哥德堡

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金(61404153);国家自然科学基金重点项目(61334004);国家自然科学基金创新研究组项目(61321492);上海浦江人才计划(14PJ1410600);国家重点基础研究发展规划(973计划)(2014CB643902);中国科学院战略性先导专项(XDA5-1);中国科学院重点项目(KGZD-EW-804);中国科学院高迁移率材料工程国际合作与创新项目;信息功能材料重点实验室开放项目

年　　份：2018

卷　　号：32

期　　号：6

起止页码：1004-1009

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖层Ge量子点能保持更大的应变量。另外,随着量子点尺寸和晶格失配度的增大,导带Γ谷与导带L谷的能量差缩减,最终使Ge转变为直接带隙材料。直接带隙能量随着量子点尺寸的增大而减小。该研究结果表明张应变Ge量子点是制备包含激光器在内的Si基光源的理想材料,在未来光电子应用中有巨大潜力。

关 键 词：张应变Ge  量子点 有限元 有效质量法  直接带隙  

分 类 号：O472]