文献类型：期刊文章

作　　者：戴中华[1] 钱一辰[1] 谢耀平[1] 胡丽娟[1] 李晓娣[1] 马海涛[1]

Dai Zhonghua;Qian Yichen;Xie Yaoping ;Hu Lijuan;Li Xiaodi ;Ma Haitao(Key Laboratory for Microstructures and Institute of Materials Science, School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, China)

机构地区：[1]上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室,上海200072

出　　处：《上海金属》

基　　金：上海市自然科学基金(No.ZR1416000);国家自然科学基金(No.51301102)

年　　份：2018

卷　　号：40

期　　号：1

起止页码：34-38

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用第一性原理方法研究了沿(001)、(101)和(111)面施加双轴拉伸应变下锗能带退简并行为。研究表明,布里渊区价带顶Γ点退简并行为相对简单,导带底L点退简并行为较复杂,不同L点到Γ点的能量差均不同,所对应能隙也不同。具体而言,沿(001)面施加双轴拉伸不会引起L点电子态退简并;沿(101)和(111)面施加双轴拉伸均可引起L点电子态退简并。因此,计算应变锗能隙时需考察不同导带L点与价带顶Γ点的能量差值。

关 键 词：应变锗  退简并  能带结构  密度泛函理论

分 类 号：TN304.11]