期刊文章详细信息
基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路 ( EI收录)
Analog Front-End Circuit for High-Speed Optical Receiver Based on SiGe BiCMOS Technology
文献类型:期刊文章
Xie Sheng;Gu Youzhi;Mao Luhong;Wu Sicong;Gao Qian(Tianjin Key Laboratory of Imaging and Sensing Microelectronic Technology,School of Microelectronics,Tianjin University,Tianjin 300072,China;School of Electrical and Information Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China)
机构地区:[1]天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津300072 [2]天津大学电气自动化与信息工程学院,天津300072
基 金:国家自然科学基金资助项目(61474081)~~
年 份:2018
卷 号:51
期 号:1
起止页码:57-63
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联的限幅放大器,而直流偏移消除电路则使用了差分有源密勒电容(DAMC)来替代传统的片外大电容,提高了电路集成度和稳定性.版图后仿结果表明,在探测器等效电容为300,f F的情况下,光接收机前端电路的跨阻增益为97,d B,-3,d B带宽为11.7,GHz,等效输入噪声电流小于14.2,pA/Hz^(1/2),芯片核心面积为720,μm×700,μm.
关 键 词:光接收机 跨阻放大器 改进型Cherry-Hooper 直流偏移消除电路 锗硅双极-互补金属-氧化物-半导体
分 类 号:TN433]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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