文献类型：期刊文章

作　　者：陈晓艳[1] 孙玲玲[1] 刘军[1]

CHEN Xiaoyan;SUN Lingling;LIU Jun(Key Laboratory of RF Circuits and Systems,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou Zhejiang 310008, China)

机构地区：[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310008

出　　处：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》

年　　份：2017

卷　　号：37

期　　号：1

起止页码：25-28

语　　种：中文

收录情况：RCCSE、普通刊

摘　　要：基于硅基异质集成InP工艺下的硅基与InP层之间的通孔结构,得到其等效电路模型,并提出了一种直接的模型参数提取方法.在0.1~67.0GHz的测量数据中提取得到双通孔结构的等效电路模型参数,模型仿真和测量数据能较好地拟合,验证了模型拓扑结构的准确性.

关 键 词：异质集成  通孔模型  参数提取  毫米波

分 类 号：TN389]