文献类型：期刊文章

作　　者：于凤梅[1] 郭康贤[1] 王光辉[2] 张立[3] 俞友宾[1]

机构地区：[1]广州大学桂花岗校区物理系,广州510405 [2]华南师范大学量子电子学研究所,广州510631 [3]番禺职业技术学校机电系,广州511483

出　　处：《量子光学学报》

基　　金：广东省自然科学基金 (0 11835 )~~

年　　份：2002

卷　　号：8

期　　号：3

起止页码：113-117

语　　种：中文

收录情况：AJ、CSCD、CSCD2011_2012、JST、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法 ,得到Morse势阱中的光检波系数的解析表达式。并以典型的GaAs/AlGaAs莫尔斯量子阱为例进行数值计算。研究结果表明 ,较大的光检波系数与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 ,光检波系数越大。

关 键 词：MORSE势阱 光检波效应  密度矩阵方法 半导体  莫尔斯量子阱  GAAS/ALGAAS 砷化镓 砷镓铝化合物  

分 类 号：O472.3] O471.1[物理学类]