文献类型：期刊文章

作　　者：梁龙[1] 吴斌[2] 杨德军[3]

机构地区：[1]北京航空材料研究院先进复合材料国防科技重点实验室,北京100095 [2]二炮北京军代局,北京100083 [3]二炮驻699厂军代室,北京100083

出　　处：《光学精密工程》

年　　份：2002

卷　　号：10

期　　号：5

起止页码：523-527

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：用改进的溶胶 -凝胶法在Pt(111) /Ti/SiO2 /Si(10 0 )衬底上制备了不同厚度的高度 (111)取向的Pb(Zr0 .53 Ti0 .4 7)O3 薄膜。运用X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM )分析了薄膜的微结构 ,原子力显微镜表明厚度为 0 .3μm和 0 .5 6 μm的PZT薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度分别为 0 .2～ 0 .3μm、2～3μm和 0 .92nm、34nm。 0 .3μm和 0 .5 6 μmPZT薄膜的剩余极化 (Pr)和矫顽场 (Ec)分别为 32 .2 μC/cm2 、79.9kV/cm ,2 7.7μC/cm2 、5 4.4kV/cm ;在频率 10 0KHz时 ,薄膜的介电常数和介电损耗分别为 5 39、0 0 6 6 ,82 1、0 .0 2 9。

关 键 词：厚度效应  微结构 PZT薄膜 铁电性质 介电性质

分 类 号：O484]