文献类型：期刊文章

作　　者：黄佳木[1] 董建华[1] 张新元[1]

机构地区：[1]重庆大学B区材料科学与工程系,重庆400045

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：重庆市科委攻关项目(2000-6214)

年　　份：2002

卷　　号：21

期　　号：11

起止页码：7-10

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8.7104 W·cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。

关 键 词：导电薄膜 制备  射频磁控溅射 光电特性 锌氧铝薄膜  氧化铎  氧化锌铝陶瓷  

分 类 号：TM28[材料类] O484]