文献类型：期刊文章

作　　者：鲍婕[1,2] 张勇[1,3] 黄时荣[1] 孙双希[3] 路秀真[1] 符益凤[3,4] 刘建影[1,3]

机构地区：[1]上海大学中瑞联合微系统集成技术中心,机电工程与自动化学院,纳微研究所,上海200072 [2]黄山学院机电工程学院,安徽黄山245021 [3]查尔姆斯理工大学微米技术与纳米科学学院,瑞典哥德堡SE-41296 [4]瑞典SHT Smart High Tech股份有限公司,瑞典哥德堡SE-41133

出　　处：《应用基础与工程科学学报》

基　　金：国家自然科学基金面上项目(51272153、61574088);上海市科委项目(12JC1403900);安徽省教育厅自然科学研究项目(KJHS2015B10、KJHS2015B08、KJHS2015B02);上海市教委高峰学科建设计划、欧盟FP7项目、瑞典战略研究框架项目SE13-0061、EM11-0002

年　　份：2016

卷　　号：24

期　　号：1

起止页码：210-217

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20160902044138)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：层状六方氮化硼(h-BN)作为典型的二维材料之一,近年来由于其优良的物理化学特性受到广泛关注,本文利用其横向热导率高、绝缘性能好的特点,将其用于功率芯片表面,作为帮助芯片上局部高热流热点横向散热的绝缘保护层.分别将化学气相沉积法制备的单层h-BN薄膜和微米级h-BN颗粒转移到热测试芯片表面,通过加载不同功率,观察h-BN对芯片散热性能的影响.采用电阻-温度曲线法和红外热像仪两种方法对热测试芯片的热点温度进行检测.研究结果表明,h-BN应用到热测试芯片表面,在加载功率约为1W时,可以将芯片热点温度降低3~5℃,从而提高芯片散热效率,并且通过对比发现单层h-BN薄膜表现出更为理想的散热效果.

关 键 词：氮化硼 热测试芯片  单层  散热

分 类 号：TN407]