文献类型：期刊文章

作　　者：刘承师[1] 马本堃[1] 王立民[1]

机构地区：[1]北京师范大学物理系和理论物理研究所,北京100875

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：中国教育部博士点基金资助项目 (No .96 0 0 2 70 3)~~

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：10

起止页码：1051-1056

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2002517284427)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在有效质量近似框架内 ,采用绝热近似 ,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质 .计算表明系统的电子能级随量子点受限势的增大而升高 ,随量子点尺寸的增大而降低 ,而且量子阱的宽度和量子点浸润层厚度的增加也会导致能级值有所降低 .说明结构参数会使在阱中的量子点的光致发光峰波长发生相应的蓝移或红移 ,与已知的实验结果一致 .

关 键 词：量子阱  量子点 电子能谱 电子能级结构  光致发光峰波长  

分 类 号：TN304]