文献类型：期刊文章

作　　者：梁美[1] 郑琼林[1] 可翀[2] 李艳[1] 游小杰[1]

机构地区：[1]北京交通大学电气工程学院,北京100044 [2]华北水利水电大学电力学院,郑州450046

出　　处：《电工技术学报》

基　　金：国家电网科技项目(5355DD130003)资助

年　　份：2015

卷　　号：30

期　　号：12

起止页码：41-50

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20153401188038)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4~10A,对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt、di/dt以及内部二极管的反向恢复特性。设计了一台2k W的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率。

关 键 词：SIC MOSFET COOLMOS IGBT 特性  DAB变换器  

分 类 号：TN303]