期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]重庆大学数理学院应用物理系,重庆400044 [2]成都理工大学信息工程学院,成都610059 [3]教育部光电技术及系统实验室
基 金:国家863基金项目(2001AA513011);光电技术系统教育部重点实验室资助课题
年 份:2002
卷 号:22
期 号:3
起止页码:141-144
语 种:中文
收录情况:CAS、ZGKJHX、普通刊
摘 要:用XPS分析了CdS薄膜的结构。硫化镉薄膜是用化学沉积法制备的胶体颗粒,然后再通过真空蒸发法在平面玻璃上形成的多晶薄膜。XPS分析表明CdS薄膜中的Cd3d和S2P峰值均比块状CdS向高能方向偏移了10eV。这主要是由于表面效应所致。
关 键 词:硫化镉薄膜 XPS 真空蒸发 X射线光电子能谱仪
分 类 号:TN304.25]
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