文献类型：期刊文章

作　　者：聂冬[1] 李晓娜[1,2] 董闯[1]

机构地区：[1]三束材料改性国家重点联合实验室,大连理工大学材料工程系,辽宁大连116024 [2]中国科学院北京电子显微镜实验室

出　　处：《材料热处理学报》

基　　金：国家自然科学基金项目 ( 59872 0 0 7)

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：3

起止页码：59-64

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用近似重位点原理研究了离子注入法制备的 β FeSi2 半导体薄膜和Si基体之间的取向关系(OR)。透射电子显微镜分析结果表明膜基之间最常见的取向关系为 (2 0 0 )β (2 0 0 ) Si,[0 1 0 ]β [0 1 1 ] Si,但是该平行关系并不精确满足。对 β FeSi2 Si的最佳取向的理论计算结果表明 β FeSi2 和Si要在上述取向关系基础上经过三维小角度旋转调整后才能达到最佳取向 ,此时 β FeSi2 和Si中不存在严格平行的晶面 ,因而在Si基体上生长高质量的 β FeSi2 单晶薄膜存在本质困难 ;计算结果还表明掺杂C离子后β FeSi2 晶格常数的微量调整对最佳取向关系影响不大 ;当 β FeSi2 和Si处于最佳取向时 ,它们之间可能的最佳界面是 (0 0 1 )β (0 2 2 ) Si或 (1 1 0 )β (1 1 1 ) Si。

关 键 词：近似重位点  取向关系  β-FeSi2半导体薄膜  离子注入 透射电子显微镜

分 类 号：TN304.24]