文献类型：期刊文章

作　　者：辜敏[1] 杨防祖[2] 黄令[2] 姚士冰[2] 周绍民[2]

机构地区：[1]汕头大学化学系,广东汕头515063 [2]厦门大学化学系

出　　处：《电化学》

基　　金：国家自然科学基金 (2 0 0 730 37);优秀国家重点实验室基金 (2 0 0 2 30 0 1)资助

年　　份：2002

卷　　号：8

期　　号：3

起止页码：282-287

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、PUBMED、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用电化学和XRD方法在CuSO4 +H2 SO4 电解液中获得Cu电沉积层并研究其结构 .结果表明 ,在 4 .0A/dm2 和 15 .0A/dm2 电流密度下可分别获得 (2 2 0 )和 (111)晶面高择优取向Cu镀层 ;Cu镀层晶面织构度随厚度提高而增大 ,获得 (111)晶面高择优Cu镀层的厚度约是 (2 2 0 )晶面的 7倍 ,说明Cu(2 2 0 )晶面比 (111)晶面是更易保留的晶面 ,且低电流密度下铜的电结晶更容易受电沉积条件控制 ;较高的沉积电流密度有利于晶核的形成 ;

关 键 词：CU 电沉积层 XRD 电沉积 结构  铜镀层

分 类 号：TQ153]