文献类型：期刊文章

作　　者：左春彦[1] 高飞[1] 戴忠玲[1] 王友年[1]

Zuo Chun-Yan;Gao Fei;Dai Zhong-Ling;Wang You-Nian(Key Laboratory of Materials Modification by Laser,Ion,and Electron Beams（Ministry of Education,School of Physics,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China)

机构地区：[1]大连理工大学物理学院,三束材料改性教育部重点实验室,大连116024

出　　处：《物理学报》

基　　金：高功率微波重点实验室基金资助的课题

年　　份：2018

卷　　号：67

期　　号：22

起止页码：332-342

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：高功率微波在受控热核聚变加热、微波高梯度加速器、高功率雷达、定向能武器、超级干扰机及冲击雷达等方面有着重要的应用.本文针对高功率微波输出窗内侧氩气放电击穿过程,建立了二次电子倍增和气体电离的一维空间分布、三维速度分布(1D3V)模型,并开发了相应的PIC/MC程序代码.研究了气压、微波频率、微波振幅对放电击穿的影响.结果表明:在真空情况下,介质窗放电击穿只存在二次电子倍增过程;在低气压和稍高气压时,二次电子倍增和气体电离共存;在极高气压时,气体电离占主导.给出了不同气压下电子、离子的密度和静电场的空间分布.此外还观察到,在500 mTorr时,随着微波振幅或微波频率的变化,气体电离出现的时刻和电离产生的等离子体峰值位置有较大差异,尤其是当微波频率(GHz)在数值上是微波振幅(MV/m)的2倍时,气体电离出现的较早.

关 键 词：高功率微波 粒子模拟  蒙特卡罗碰撞  次级电子倍增  

分 类 号：TN015]