文献类型：期刊文章

作　　者：李佳帅[1,2] 刘倩倩[1,2] 张静[1] 闫江[1]

LI Jiashuai;LIU Qianqian;ZHANG Jiang;YAN Jiang(Col.of Electronic Information Engineering,North China Univ.of Teeh.,100144,Beijing;Institute of Mieroeleetronies Chinese Academy of Sciences,University of Chinese Academy of Sciences,100029,Beijing)

机构地区：[1]北方工业大学电子信息工程学院,北京100144 [2]中国科学院大学微电子研究所,北京100029

出　　处：《北方工业大学学报》

基　　金：国家自然科学基金(61674003)

年　　份：2018

卷　　号：30

期　　号：5

起止页码：58-63

语　　种：中文

收录情况：NSSD、普通刊

摘　　要：随着纳米器件的进一步微缩,Hf基高k材料已无法满足其发展需求,需要引入新的高k材料.为了减小纳米器件的等效氧化层厚度(EOT),向HfO_2中掺入Al元素,并分别在N_2、O_2氛围下,对其进行不同时间(15s、30s和60s)的后沉积退火(PDA),退火温度为650℃.结果表明,随着退火时间的增加,O_2中样品的EOT、栅极泄漏电流(I_g)以及平带电压(V_(fb))均未出现明显变化,而N_2中样品的EOT在退火时间为30s时急剧下降,V_(fb),也有所上升.最终,退火温度650℃退火时间30 s为最佳退火条件,此时EOT为0.88 nm,满足14/16 nm技术节点的要求.

关 键 词：AL掺杂 Hf0栅介质  退火时间 高k  EOT

分 类 号：TN305]