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期刊文章详细信息

Cr^3+和Si^4+共掺对LiGa5O8近红外长余辉材料发光性能的影响  ( EI收录)  

Influence of Si^(4+)-doped on persistent luminescence of LiGa_5O_8:Cr^(3+) near-infrared phosphors

  

文献类型:期刊文章

作  者:黄维超[1] 龚新勇[1] 李绪诚[1] 崔瑞瑞[1] 邓朝勇[1]

HUANG Wei-chao;GONG Xing-yong;LI Xu-cheng;CUI Rui-rui;DENG Chao-yong(Key Laboratory of Functional Composite Materials of Guizhou Province,Department of Electronic Science,College of Big Data and Information Engineering,Guizhou University,Guiyang 550025,China)

机构地区:[1]贵州大学大数据与信息工程学院电子科学系,贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵州贵阳550025

出  处:《光电子.激光》

基  金:国家自然科学基金(51462003,51762010,61321012);贵州省科技计划(2014-7611,2015-7643,2015-7644);贵州省教育厅自然科学基金(KY2013-193)资助项目

年  份:2018

卷  号:29

期  号:10

起止页码:1069-1073

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘  要:高温固相法合成了共掺Si^(4+)的LiGa_5O_8:Cr^(3+)长余辉材料,采用X射线衍射、荧光光谱、余辉发射光谱、余辉衰减曲线和热释光对样品分别进行了表征,并分析了Si掺杂对LiGa_5O_8:Cr^(3+)发光性能的影响。结果表明,所合成的LiGa_5O_8:Cr^(3+),Si^(4+)材料能产生近红外长余辉发射,主发射峰位于717nm,归属于Cr^(3+)的~2 E→~4A_2跃迁,共掺Si^(4+)能显著提高余辉性能。掺杂浓度为0.25时,样品的初始发光强度提高了3倍,余辉性能最佳,余辉持续时间超过30h。热释光曲线表明,共掺Si^(4+)离子可增加有效陷阱数量,从而改善材料的余辉发光性能。

关 键 词:长余辉 近红外 Si4+  陷阱  

分 类 号:O482]

参考文献:

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同被引文献:

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