期刊文章详细信息
Cr^3+和Si^4+共掺对LiGa5O8近红外长余辉材料发光性能的影响 ( EI收录)
Influence of Si^(4+)-doped on persistent luminescence of LiGa_5O_8:Cr^(3+) near-infrared phosphors
文献类型:期刊文章
HUANG Wei-chao;GONG Xing-yong;LI Xu-cheng;CUI Rui-rui;DENG Chao-yong(Key Laboratory of Functional Composite Materials of Guizhou Province,Department of Electronic Science,College of Big Data and Information Engineering,Guizhou University,Guiyang 550025,China)
机构地区:[1]贵州大学大数据与信息工程学院电子科学系,贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵州贵阳550025
基 金:国家自然科学基金(51462003,51762010,61321012);贵州省科技计划(2014-7611,2015-7643,2015-7644);贵州省教育厅自然科学基金(KY2013-193)资助项目
年 份:2018
卷 号:29
期 号:10
起止页码:1069-1073
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊
摘 要:高温固相法合成了共掺Si^(4+)的LiGa_5O_8:Cr^(3+)长余辉材料,采用X射线衍射、荧光光谱、余辉发射光谱、余辉衰减曲线和热释光对样品分别进行了表征,并分析了Si掺杂对LiGa_5O_8:Cr^(3+)发光性能的影响。结果表明,所合成的LiGa_5O_8:Cr^(3+),Si^(4+)材料能产生近红外长余辉发射,主发射峰位于717nm,归属于Cr^(3+)的~2 E→~4A_2跃迁,共掺Si^(4+)能显著提高余辉性能。掺杂浓度为0.25时,样品的初始发光强度提高了3倍,余辉性能最佳,余辉持续时间超过30h。热释光曲线表明,共掺Si^(4+)离子可增加有效陷阱数量,从而改善材料的余辉发光性能。
关 键 词:长余辉 近红外 Si4+ 陷阱
分 类 号:O482]
参考文献:
正在载入数据...
二级参考文献:
正在载入数据...
耦合文献:
正在载入数据...
引证文献:
正在载入数据...
二级引证文献:
正在载入数据...
同被引文献:
正在载入数据...