文献类型：期刊文章

作　　者：王海娜[1]

WANG Hai-na(Henan Vocational College of Agriculture,Zhengzhou 451450,China)

机构地区：[1]河南农业职业学院,信息工程学院,河南郑州451450

出　　处：《电力电子技术》

年　　份：2018

卷　　号：52

期　　号：10

起止页码：112-114

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2017_2018、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对传统非隔离拓扑在单极性脉宽调制(PWM)下存在的漏电流问题,研究了一种新型H5拓扑结构,通过引入一个绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和4个快恢复二极管,可有效抑制高频脉动下的共模电压,且在续流阶段,并网电流不会经过性能较差的IGBT体二极管,降低了系统开关损耗。实验结果表明:新型H5拓扑不但能有效抑制漏电流,而且比传统全桥结构逆变效率提高了1%。

关 键 词：逆变器 脉宽调制 漏电流 共模电压

分 类 号：TM464]