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期刊文章详细信息

晶圆减薄表面损伤层对断裂强度影响的研究    

Study on the Effect of Surface Damage Layer on Fracture Strength after Wafer Thinning

  

文献类型:期刊文章

作  者:冯小成[1] 李峰[1] 李洪剑[1] 荆林晓[1] 贺晋春[1] 井立鹏[1]

FENG Xiaocheng;LI Feng;LI Hongjian;JING Linxiao;HE Jinchun;JING Lipeng(MX Tronnics,Beijing 100076,China)

机构地区:[1]北京时代民芯科技有限公司,北京100076

出  处:《电子与封装》

年  份:2018

卷  号:18

期  号:10

起止页码:4-8

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:介绍了晶圆机械磨削减薄原理、工艺过程和风险,分析了晶圆减薄损伤层厚度的影响因素,并对损伤层厚度与晶圆断裂强度的关系进行了研究。研究表明,在一定范围内,选用大目数磨轮、提升主轴转速、降低主轴进给速度能够有效减小减薄后晶圆被加工面损伤层的厚度,晶圆被加工面损伤层的厚度越小,其断裂强度越大。优化后的机械磨削减薄工艺提高了机械磨削减薄晶圆的断裂强度,降低了减薄晶圆碎片率,提升了封装可靠性。

关 键 词:晶圆 机械磨削  损伤层 断裂强度  

分 类 号:TN305.1]

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同被引文献:

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