期刊文章详细信息
晶圆减薄表面损伤层对断裂强度影响的研究
Study on the Effect of Surface Damage Layer on Fracture Strength after Wafer Thinning
文献类型:期刊文章
FENG Xiaocheng;LI Feng;LI Hongjian;JING Linxiao;HE Jinchun;JING Lipeng(MX Tronnics,Beijing 100076,China)
机构地区:[1]北京时代民芯科技有限公司,北京100076
年 份:2018
卷 号:18
期 号:10
起止页码:4-8
语 种:中文
收录情况:普通刊
摘 要:介绍了晶圆机械磨削减薄原理、工艺过程和风险,分析了晶圆减薄损伤层厚度的影响因素,并对损伤层厚度与晶圆断裂强度的关系进行了研究。研究表明,在一定范围内,选用大目数磨轮、提升主轴转速、降低主轴进给速度能够有效减小减薄后晶圆被加工面损伤层的厚度,晶圆被加工面损伤层的厚度越小,其断裂强度越大。优化后的机械磨削减薄工艺提高了机械磨削减薄晶圆的断裂强度,降低了减薄晶圆碎片率,提升了封装可靠性。
关 键 词:晶圆 机械磨削 损伤层 断裂强度
分 类 号:TN305.1]
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