文献类型：期刊文章

作　　者：戴雅琼[1] 黄德佳[1] 邢洁莹[1] 潘郑州[1] 张佰君[1]

Dai Yaqiong;Huang Dejia;Xing Jieying;Pan Zhengzhou;Zhang Baijun(State Key Laboratory of Optoeleetronie Material and Technologies,School of Electronics and Information Technology,Sun Yat-Sen University,Guangzhou 510006,China)

机构地区：[1]中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2016YFB0400100,2017YFB0400301);国家自然科学基金资助项目(61574173,61274039);广东省科技计划项目(2017B010112002)

年　　份：2018

卷　　号：43

期　　号：10

起止页码：734-739

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2017_2018、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：制备了集成式全固态AlGaN/GaN异质结离子敏感场效应晶体管（ISFET）结构pH传感器,并研究了其温度特性。将惰性金属薄膜作为固态参比电极集成到pH传感器主体上,取代传统的外置玻璃参比电极,实现了对微升溶液pH值的测量。将ISFET pH传感器分别在15,45和75℃下对不同pH值的微升标准溶液进行了测量。实验结果表明,随着温度升高,pH传感器的敏感度增大,其变化趋势与理论相符。当温度为75℃时,器件灵敏度达到50. 9 mV/pH。同时,实验中还观察到传感器的阈值电压随温度升高产生了正向漂移。通过传输线模型测试以及对肖特基圆环进行电容-电压特性测试,发现阈值电压变化的原因在于载流子迁移率随温度升高而明显降低。

关 键 词：ALGAN/GAN异质结 离子敏感场效应晶体管(ISFET)  全固态 PH传感器 阈值电压  

分 类 号：TN386] TP212.41]