期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]北京首钢高新技术有限公司,北京100085 [2]合肥工业大学理学院,安徽合肥230009
年 份:2002
卷 号:39
期 号:9
起止页码:39-43
语 种:中文
收录情况:AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要:集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用。传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面的原因,将被浅沟隔离技术所取代。论述了集成电路进入深亚微米时代后的STI(浅沟隔离)技术,指出了STI隔离工艺的主要特点、关键工艺及工艺实现方法。
关 键 词:集成电路 隔离技术 STI隔离 本征氧化隔离 浅沟隔离
分 类 号:TN305.95]
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