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期刊文章详细信息

新型集成电路隔离技术——STI隔离    

New isolation technology of IC:STI isolation

  

文献类型:期刊文章

作  者:闻黎[1] 王建华[2]

机构地区:[1]北京首钢高新技术有限公司,北京100085 [2]合肥工业大学理学院,安徽合肥230009

出  处:《微纳电子技术》

年  份:2002

卷  号:39

期  号:9

起止页码:39-43

语  种:中文

收录情况:AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘  要:集成电路器件的特征尺寸进入深亚微米时代后,由于微细化和性能方面的影响,一些传统的器件结构将不再适用。传统的本征氧化隔离技术由于漏电流、平坦化、高温再分布等方面的原因,将被浅沟隔离技术所取代。论述了集成电路进入深亚微米时代后的STI(浅沟隔离)技术,指出了STI隔离工艺的主要特点、关键工艺及工艺实现方法。

关 键 词:集成电路 隔离技术  STI隔离  本征氧化隔离  浅沟隔离  

分 类 号:TN305.95]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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