文献类型：期刊文章

作　　者：郑彧[1] 童亚琦[1] 张伟儒[1]

ZHENG Yu;TONG Ya-qi;ZHANG Wei-ru(Beijing Research Institute of Synthetic Crystals Co.Ltd.,Beijing 100018,China)

机构地区：[1]北京中材人工晶体研究院有限公司,北京100018

出　　处：《真空电子技术》

基　　金：国家重点研发计划(2017YFB0310400);北京市科技计划课题(Z171100002017015)

年　　份：2018

卷　　号：31

期　　号：4

起止页码：13-17

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：高导热氮化硅陶瓷由于其优异物理、力学性能,被认为是兼具高强韧和高导热的最佳半导体绝缘基板材料,在大功率半导体器件基片的应用方面极具市场前景。本文总结了氮化硅陶瓷的性能特点及优势,从原料粉体、配方体系等角度介绍了高导热氮化硅陶瓷材料的研究现状,分析了影响氮化硅陶瓷热导率的关键因素;介绍了氮化硅基板现有成型技术,并对高导热氮化硅陶瓷基板材料未来发展及应用进行了展望。

关 键 词：半导体 陶瓷绝缘基板  氮化硅陶瓷 热导率

分 类 号：TQ174.75]